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Initial stages of interface formation in group IV-IV systems: Sn ON Ge(100) and Ge(111)
NationallizenzElsevier | 1986| -
Application of high energy ion channeling to GaAs(110), Au-GaAs(110) and Pd-GaAs(110)
NationallizenzElsevier | 1983| -
Initial stages of interface formation in group IV-IV systems: Sn on Ge(100) and Ge(111)
NationallizenzElsevier | 1987| -
Structural analogy between GeSi(111)-5 × 5 and Si(111)-7 × 7 surfaces
NationallizenzElsevier | 1984| -
Application of high energy ion channeling to GaAs(110), Au-GaAs(110) and Pd-GaAs(110)
NationallizenzElsevier | 1984| -
The influence of reconstruction on epitaxial growth: Ge on Si(100)-(2 × 1) and Si(111)-(7 × 7)
NationallizenzElsevier | 1985| -
The influence of reconstruction on epitaxial growth: Ge on Si(100)-(2 × 1) and Si(111)-(7 × 7)
NationallizenzElsevier | 1985| -
Advances in high κ gate dielectrics for Si and III–V semiconductors
NationallizenzElsevier | 2002|
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