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Reduced temperature in lateral (AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterojunction field effect transistor capped with nanocrystalline diamond
American Institute of Physics | 2024| -
SURFACE PROFILE MAPPING FOR EVALUATING III-N DEVICE PERFORMANCE AND YIELD
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
Deep-UV photoemission electron microscopy for imaging nanoscale heterogeneity and defects in gallium nitride
British Library Conference Proceedings | 2023| -
State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 66 (SOTAPOCS 66) & Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 13
TIBKAT | 2023|Beteiligte: Hite, Jennifer K. -
Experimental determination of critical thickness limitations of (010) β-(AlxGa1−x)2O3 heteroepitaxial films
American Institute of Physics | 2023| -
Mapping and evaluating GaN wafers for vertical device applications
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
Influence of plasma species on the early-stage growth kinetics of epitaxial InN grown by plasma-enhanced atomic layer deposition
American Institute of Physics | 2022| -
SURFACE PROFILE MAPPING FOR EVALUATING III-N DEVICE PERFORMANCE AND YIELD
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Surface Profile Mapping for Evaluating III-N Device Performance and Yield
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Site control of quantum emitters in gallium nitride by polarity
American Institute of Physics | 2021| -
Homoepitaxial GaN micropillar array by plasma-free photo-enhanced metal-assisted chemical etching
American Institute of Physics | 2021| -
Assessment of the (010) β-Ga2O3 surface and substrate specification
American Institute of Physics | 2021| -
Assessment of the (010) $\beta$-Ga$_2$O$_3$ Surface and Substrate Specification
Freier ZugriffArXiv | 2021| -
State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 64 (SOTAPOCS-64)
TIBKAT | 2021|Beteiligte: Hite, Jennifer K.
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