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Can the electric field in radiation-damaged silicon pad diodes be determined by admittance and current measurements?
Freier ZugriffArXiv | 2021| -
Determination of the electronics transfer function for current transient measurements
British Library Online Contents | 2015| -
Measurement of the drift velocities of electrons and holes in high-ohmic Formula Not Shown silicon
British Library Online Contents | 2015| -
Measurement of the drift velocities of electrons and holes in high-ohmic 〈100〉 silicon
British Library Online Contents | 2015| -
Influence of radiation damage on the absorption of near-infrared light in silicon
Freier ZugriffArXiv | 2019| -
Precision measurement of the carrier drift velocities in <100> silicon
Freier ZugriffArXiv | 2015|
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