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Elementary excitations in semiconductors with n–i–p–i doping superlattices
American Institute of Physics | 1983| -
Theory of spin injection into conjugated organic semiconductors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Modeling charge transport in quantum dot light emitting devices with NiO and ZnO transport layers and Si quantum dots
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2013| -
Analytic device model for light-emitting ambipolar organic semiconductor field-effect transistors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Impact pressure measurement of monoplane with plummets which lie in interference zone of wing
Engineering Index Backfile | 1938| -
Device modeling of light-emitting ambipolar organic semiconductor field-effect transistors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
Properties of n-i-p-i doping sljperlattices in III–V and IV–VI semiconductors
NationallizenzElsevier | 1983|
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