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Structural study of the NaCdVO4–Cd3V2O8 and CdO–V2O5 sections of the ternary system Na2O–CdO–V2O5
Online Contents | 2010| -
Elektrisches Überbrückungselement, elektrischer Energiespeicher und Vorrichtung
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019| -
Recrystallization of Cu-In-S thin films studied in situ by energy-dispersive X-ray diffraction
Online Contents | 2010| -
Growth mechanisms of CuInS2 formed by the sulfurization of thin metallic films
Freier ZugriffDataCite | 2010| -
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SILIZIUMKARBID-HALBLEITERBAUELEMENTS
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
METHOD FOR FORMING AN ELECTRICAL CONTACT AND METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
VERFAHREN ZUM BILDEN EINES ELEKTRISCHEN KONTAKTS UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
METHOD FOR PRODUCING AN OHMIC CONTACT ON A CRYSTALLOGRAPHIC C-SIDE OF A SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND OHMIC CONTACT
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
VERFAHREN ZUM BILDEN EINES ELEKTRISCHEN KONTAKTS UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2024| -
Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Halbleiterbauelements
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINES OHMSCHEN KONTAKTS AUF EINER KRISTALLOGRAPHISCHEN C-SEITE EINES SILIZIUMKARBIDSUBSTRATS UND OHMSCHER KONTAKT
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINES OHMSCHEN KONTAKTS AUF EINER KRISTALLOGRAPHISCHEN C-SEITE EINES SILIZIUMKARBIDSUBSTRATS UND OHMSCHER KONTAKT
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Verfahren zum Bilden eines elektrischen Kontakts und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Verfahren zur Erzeugung eines ohmschen Kontakts auf einer kristallographischen C-Seite eines Siliziumkarbidsubstrats und ohmscher Kontakt
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021|
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