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Bulk GaN flip-chip violet light-emitting diodes with optimized efficiency for high-power operation
Online Contents | 2015| -
Coupling resistance between n-type surface accumulation layer and p-type bulk in InN:Mg thin films
Online Contents | 2012| -
Effects of growth temperature on Mg-doped GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy
Online Contents | 2012| -
Field-assisted Shockley-Read-Hall recombinations in III-Nitride quantum wells
Freier ZugriffArXiv | 2017| -
All-optical measurements of carrier dynamics in bulk-GaN LEDs: Beyond the ABC approximation
American Institute of Physics | 2017| -
Field-assisted Shockley-Read-Hall recombinations in III-nitride quantum wells
American Institute of Physics | 2017| -
Carrier dynamics and Coulomb-enhanced capture in III-nitride quantum heterostructures
American Institute of Physics | 2016| -
m-plane () and () GaN/AlxGa1–xN conduction band offsets measured by capacitance-voltage profiling
American Institute of Physics | 2014| -
Effects of growth temperature on Mg-doped GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2012| -
Capacitance-voltage profiling on polar III-nitride heterostructures
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2012| -
Erratum: “Carrier dynamics and Coulomb-enhanced capture in III-nitride quantum heterostructures” [Appl. Phys. Lett. 109, 033504 (2016)]
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2016| -
Indium and impurity incorporation in InGaN films on polar, nonpolar, and semipolar GaN orientations grown by ammonia molecular beam epitaxy
American Institute of Physics | 2012|
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