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Open core threading dislocations in GaN grown by hydride vapour phase epitaxy
Taylor & Francis Verlag | 2006| -
Open core threading dislocations in GaN grown by hydride vapour phase epitaxy
British Library Online Contents | 2006| -
Structural differences in Mg-doped InN - indication of polytypism
British Library Online Contents | 2010| -
Erratic dislocations within funnel defects in AlN templates for AlGaN epitaxial layer growth
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2009| -
The structural quality of AlxGa1−xN epitaxial layers grown by digitally alloyed modulated precursor epitaxy determined by transmission electron microscopy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2009| -
Digitally Alloyed Modulated Precursor Flow Epitaxial Growth of Ternary AlGaN with Binary AlN and GaN Sub-Layers and Observation of Compositional Inhomogeneity
British Library Online Contents | 2010| -
Stacking faults and phase changes in Mg-doped InGaN grown on Si
British Library Online Contents | 2009| -
Highly luminescent InxGa1-xN thin films grown over the entire composition range by energetic neutral atom beam lithography & epitaxy (ENABLE)
British Library Online Contents | 2009| -
Electrical and electrothermal transport in InN: The roles of defects
British Library Online Contents | 2009| -
Thermal stability of amorphous GaN1-xAsx alloys
Online Contents | 2011|Beteiligte: Hawkridge, M. E.
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