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Fabrication and characterization of platinum nanocrystalline material grown by electron‐beam induced deposition
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Surface imaging of focused ion‐beam exposed resists
American Institute of Physics | 1991|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Sub‐10 nm lithography and development properties of inorganic resist by scanning electron beams
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Incident dose modification for proximity effect correction
American Institute of Physics | 1993|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
In search of high‐performance resists for 50 kV shaped‐beam exposure
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Electron‐beam induced tungsten deposition: Growth rate enhancement and applications in microelectronics
American Institute of Physics | 1992|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Fabrication of apertures, slots, and grooves at the 8–80 nm scale in silicon and metal films
American Institute of Physics | 1983|Schlagwörter: kev range 10−100 -
Lithographic evaluation of a positive‐acting chemically amplified resist system under conventional and projection electron‐beam exposures
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Microfabrication of arrays of scanning electron microscopes
American Institute of Physics | 1994|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Peak identification of L X-ray spectra of elemental Np and U
Online Contents | 2015|Schlagwörter: keV range 10-100 -
RHEED streaks and instrument response
American Institute of Physics | 1983|Schlagwörter: kev range 10−100 -
Peak identification of L X-ray spectra of elemental Np and U
Taylor & Francis Verlag | 2015|Schlagwörter: keV range 10–100 -
Performance enhancements on IBM’s EL‐4 electron‐beam lithography system
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
An April 1991 outburst from 4U0115+63 observed by BATSE
American Institute of Physics | 1994|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Nanobeam process system: An ultrahigh vacuum electron beam lithography system with 3 nm probe size
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Lithography by accelerated nanoparticle ions
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Geographical Distribution of Approx.100-Kev Electrons Above the Earth'S Atmosphere
NTIS | 1973|Schlagwörter: Kev range 10-100 -
Beam position stabilization by suppression of electrons reentering the electron‐beam column
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Precise measurement of the effective backscatter coefficient for 100‐keV electron‐beam lithography on Si
American Institute of Physics | 1995|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100 -
Quantitative lithographic performance of proximity correction for electron beam lithography
American Institute of Physics | 1990|Schlagwörter: KEV RANGE 10−100
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