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Variance Reduction during the Fabrication of Sub-20 nm Si Cylindrical Nanopillars for Vertical Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
Freier ZugriffAmerican Chemical Society | 2019| -
SEMICONDUCTOR DEVICE, INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
Reliability factors of ultrathin dielectric films based on highly controlled SiO~2 films
British Library Online Contents | 2018| -
Characterization of Interface State Density of SiO~2/SiC (000-1) Based on Oxygen Concentration at the Interface during Thermal Oxidation
British Library Conference Proceedings | 2016| -
Non uniform thermal oxidation of SiC and its impact on electrical characteristics
British Library Online Contents | 2016| -
Electrical properties of Ge crystals and effective Schottky barrier height of NiGe/Ge junctions modified by P and chalcogen (S, Se, or Te) co-doping
American Institute of Physics | 2016| -
METHOD FOR FABRICATING SILICON PILLAR FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
METHOD FOR FABRICATING SILICON PILLAR FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020|
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