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Mechanism of Reverse Leakage Current in Schottky Diode Fabricated on Large Bandgap Semiconductors like Ga~2O~3 or Diamond Part II
British Library Conference Proceedings | 2022| -
Similarity between the first ionized state of the oxygen vacancy double donor in tantalum oxide and the first ionized state of the cadmium vacancy double acceptor in cadmium sulfide
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
Application of nanoimprinting technology to organic field-effect transistors
Online Contents | 2010| -
General theory of acceptor-oxygen-vacancy complex single donor in high-dielectric-constant metallic oxide insulators
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2005| -
The preparation and characterization of nearly hysteresis‐free metal‐nitride‐silicon capacitors on both p‐ and n‐type silicon substrates
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1992| -
The use of far‐infrared ceramic heaters for radiation heating of glass in vacuum deposition processes
American Institute of Physics | 1988| -
General theory of acceptor-oxygen-vacancy complex single donor in high-dielectric-constant metallic oxide insulators (3 pages)
British Library Online Contents | 2005| -
Pulsed Nd:YAG Laser Cutting of Al/Li/SiC Metal Matrix Composites
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 1996| -
Mechanism behind the stress-induced change in boron and arsenic diffusion in silicon devices and its experimental verification
British Library Online Contents | 2011|
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