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Absorption of Frenkel Excitons in PTCDA Thin Films, in PTCDA/Alq3 Multilayers and in Co‐deposited Films
American Institute of Physics | 2007| -
A “smarter-cut” approach to low temperature silicon layer transfer
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1998| -
Birefringence in optical waveguides made by silicon nanocrystal superlattices
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Bulk Inversion Asymmetry Spin‐splitting in L‐valley GaSb Quantum Wells
American Institute of Physics | 2005| -
Carbon-induced undersaturation of silicon self-interstitials
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1998| -
Carbonization‐induced SiC micropipe formation in crystalline Si
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1995| -
“Compliant” twist-bonded GaAs substrates: The potential role of pinholes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1999| -
Compressive uniaxially strained silicon on insulator by prestrained wafer bonding and layer transfer
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
Cylindrical nanopores in NiO induced by swift heavy ions
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2005| -
Determination of arsenic diffusion parameters by sulfur indiffusion in gallium arsenide
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2000| -
Dynamical masses for the nearest brown dwarf binary: ε Indi Ba, Bb
American Institute of Physics | 2009| -
Enhanced photoluminescence from self-organized rubrene single crystal surface structures
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
Exciton size and binding energy limitations in one-dimensional organic materials
American Institute of Physics | 2015| -
Experimental and computer simulation studies of diffusion mechanisms on the arsenic sublattice of gallium arsenide
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1998| -
Extremely faint high proper motion objects from SDSS stripe 82
American Institute of Physics | 2009| -
Ferroelectric epitaxial nanocrystals obtained by a self-patterning method
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2003| -
Fluorine-enhanced low-temperature wafer bonding of native-oxide covered Si wafers
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Formation of nanovoids in high-dose hydrogen implanted GaN
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006|
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