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Transmission electron microscopy of aluminum implanted and annealed (100) Si: Direct evidence of aluminum precipitate formation
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1986| -
Annealing and oxidation behavior of low‐pressure chemical vapor deposited tungsten slicide layers on polycrystalline silicon gates
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1987| -
Thermally stable ohmic contacts to p‐type GaAs. IX. NiInW and NiIn(Mn)W contact metals
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991| -
Reduction of interfacial tunnel defects in silicon due to chemical vapor deposition of tungsten
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1987|
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