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Influence of migration anisotropy on the growth mechanism
Online Contents | 2009|Beteiligte: Mao, Huibing -
Photoluminescence eigenmodes in the ZnO semiconductor microcavity on the Ag/Si substrate
Online Contents | 2013|Beteiligte: Mao, Huibing -
Multiple kinds of emission modes in semiconductor microcavity coupled with plasmon
Online Contents | 2014|Beteiligte: Mao, Huibing -
Synthesis and surface characterization of alumina–silica–zirconia nanocomposite ceramic fibres on aluminium at room temperature
Online Contents | 2010|Beteiligte: Mao, Huibing -
Photoluminescence properties of the Eu3+-doped ZnS nanocrystals and the crystal-field analysis
Online Contents | 2009|Beteiligte: Mao, Huibing -
Self-censorship and science: a geographical review of media coverage of climate tipping points
Online Contents | 2010|Beteiligte: Mao, Huibing -
The energy transfer of Bi3+Eu3+ and Bi3+Tb3+ in YBO3 host to produce light
Online Contents | 2009|Beteiligte: Mao, Huibing -
Mechanism of fluorescence energy transfer in aqueous solution cadmium sulfide quantum dots
Online Contents | 2009|Beteiligte: Mao, Huibing -
Photoluminescence and XPS investigations of Cu2+-doped ZnS quantum dots capped with polyvinylpyrrolidone
Online Contents | 2009|Beteiligte: Mao, Huibing -
Influences of strain on binding energies of excitons in InAs/GaAs quantum dot molecules
Online Contents | 2014|Beteiligte: Mao, Huibing -
Influence of strain on built-in dipole moment in asymmetric In x Ga1−x As quantum dot molecules
Online Contents | 2012|Beteiligte: Mao, Huibing -
Manipulation of band structures in wurtzite and zinc-blende GaAs/InAs-core-shell nanowires
Online Contents | 2013|Beteiligte: Mao, Huibing -
Improvement of Curie temperature in Mn selectively -doped GaAs-AlGaAs heterostructures by self-consistent analysis
Online Contents | 2007|Beteiligte: Mao, Huibing -
Improved recrystallization behavior by additional irradiation of Mn+-implanted GaAs studied by Raman scattering
Online Contents | 2006|Beteiligte: Mao, Huibing -
Bonding to antibonding transition for hole ground states in coupled InAs quantum wires
Online Contents | 2013|Beteiligte: Mao, Huibing -
Strain effects on resonant parameters in asymmetric In1−x Ga x As quantum dot molecules
Online Contents | 2013|Beteiligte: Mao, Huibing -
Recrystallization behavior of high-fluence N+-implanted GaAs studied by Raman spectroscopy
Online Contents | 2006|Beteiligte: Mao, Huibing -
Tuning of electron g factors by electric fields in asymmetric InAs quantum dot molecules
Online Contents | 2011|Beteiligte: Mao, Huibing -
Enhancement of Curie temperature under low electric fields in Mn selectively &dgr;-doped GaAs-AlGaAs wide quantum wells
Online Contents | 2007|Beteiligte: Mao, Huibing -
Mobility analysis of highly conducting thin films: Application to ZnO
Online Contents | 2010|Beteiligte: Mao, Huibing
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