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Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates
Online Contents | 2015| -
Simultaneous determination of the residual stress, elastic modulus, density and thickness of ultrathin film utilizing vibrating doubly clamped micro-/nanobeams
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2016| -
A SEMICONDUCTOR HAVING INCREASED DOPANT CONCENTRATION, A METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND A CHEMICAL REACTOR
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
Nanocrystalline diamond enhanced thickness shear mode resonator
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
Thick crack-free {113} epitaxial boron-doped diamond layers for power electronics—Deposition with nitrogen addition and high microwave power
American Institute of Physics | 2024| -
Theoretical Investigation of Grain Size Tuning during Prolonged Bias-Enhanced Nucleation
American Chemical Society | 2011| -
METHOD OF MANUFACTURING A POROUS DIAMOND LAYER AND A NANOFIBER SUPPORTED THICK POROUS DIAMOND LAYER
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019|
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