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AlxIn1−xAsySb1−y alloys lattice matched to InAs(100) grown by molecular beam epitaxy
Online Contents | 2015| -
Heterointegration of III–V on silicon using a crystalline oxide buffer layer
British Library Online Contents | 2015| -
Temperature dependence of the photoluminescence emission from In~xGa~1~-~xAs quantum wells on GaAs(311) substrates (5 pages)
British Library Online Contents | 2008| -
InAs hole inversion and bandgap interface state density of 2 x 10^1^1 cm^-^2eV^-^1 at HfO~2/InAs interfaces (4 pages)
British Library Online Contents | 2013| -
AlxIn1−xAsySb1−y alloys lattice matched to InAs(100) grown by molecular beam epitaxy
British Library Online Contents | 2015| -
Temperature Dependence of the Photoluminescence Linewidth of In~0~.~2Ga~0~.~8As Quantum Wells on GaAs(311) Substrates
British Library Conference Proceedings | 2008|
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