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Experimental study of plane electrode thickness scaling for 3D vertical resistive random access memory
NationallizenzPaperIOP Institute of Physics | 2013| -
Disturbance characteristics of half-selected cells in a cross-point resistive switching memory array
PaperIOP Institute of Physics | 2016| -
1D Selection Device Using Carbon Nanotube FETs for High-Density Cross-Point Memory Arrays
Online Contents | 2015|Beteiligte: Zizhen Jiang
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