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Created defect under illumination in a-Si:H: hydrogenated or isolated dangling bond ?
Online Contents | 2004| -
Numerical simulation of the response of substrate traps to a voltage applied to the gate of a gallium arsenide field effect transistor
British Library Online Contents | 2014| -
Irradiation effect on the electrical characteristics of an AlGaAs/GaAs based solar cell: Comparison between electron and proton irradiation by numerical simulation
British Library Online Contents | 2013| -
Deep traps and temperature effects on the capacitance of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes on (211) and (311) oriented GaAs substrates
British Library Online Contents | 2014| -
Deep traps and temperature effects on the capacitance of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes on (211) and (311) oriented GaAs substrates
British Library Online Contents | 2014| -
Numerical simulation of bias and photo stress on indium–gallium–zinc-oxide thin film transistors
Online Contents | 2015|Beteiligte: Meftah, Af -
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Online Contents | 2014|Beteiligte: Meftah, Af. -
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