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Gate defects analysis in AlGaN/GaN devices by mean of accurate extraction of the Schottky Barrier Height, electrical modelling, T-CAD simulations and TEM imaging
British Library Online Contents | 2017| -
Gate defects analysis in AlGaN/GaN devices by mean of accurate extraction of the Schottky Barrier Height, electrical modelling, T-CAD simulations and TEM imaging
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Gate defects analysis in AlGaN/GaN devices by mean of accurate extraction of the Schottky Barrier Height, electrical modelling, T-CAD simulations and TEM imaging
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British Library Online Contents | 2017| -
Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by low frequency noise and pulsed electrical measurements
British Library Online Contents | 2013| -
Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by low frequency noise and pulsed electrical measurements
Online Contents | 2013|Beteiligte: Bouexière, C.
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