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Advantages and limitations of silicon-on-insulator technology in radiation environments
British Library Online Contents | 1997| -
Effect of post‐oxidation anneal temperature on radiation‐induced charge trapping in metal‐oxide‐semiconductor devices
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1988| -
Radiation Hardness Assurance Testing of Microelectronic Devices and Integrated Circuits: Test Guideline for Proton and Heavy Ion Single-Event Effects
British Library Online Contents | 2013| -
Estimating oxide‐trap, interface‐trap, and border‐trap charge densities in metal‐oxide‐semiconductor transistors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1994| -
Energy loss and escape depth of hot electrons from shallow p‐n junctions in silicon
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1979| -
Low-frequency noise and radiation response of buried oxides in SOI nMOS transistors
British Library Online Contents | 2004| -
Low-frequency noise and radiation response of buried oxides in SOI nMOS transistors (Invited Paper) [5113-03]
British Library Conference Proceedings | 2003| -
Modeling ferroelectric capacitor switching with asymmetric nonperiodic input signals and arbitrary initial conditions
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991| -
Total Ionizing Dose Hardness Assurance Issues for High Dose Rate Environments
British Library Online Contents | 2007|
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