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The Influence of Nitrogen Ion Energy on the Quality of GaN Films Grown with Molecular Beam Epitaxy
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Epitaxial Growth of Cubic GaN on (111) GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
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Operation of a Compact Electron Cyclotron Resonance Source for the Growth of Gallium Nitride by Molecular Beam Epitaxy (ECR-MBE)
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British Library Online Contents | 1996| -
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The Incorporation of Hydrogen into III-V Nitrides During Processing
British Library Online Contents | 1996|
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