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Measurement of probability distributions for internal stresses in dislocated crystals (5 pages)
British Library Online Contents | 2014| -
Porous GaN and High‑κ MgO–GaN MOS Diode Layers Grown in a Single Step on Silicon
American Chemical Society | 2014| -
The structure of InAlN/GaN heterostructures for high electron mobility transistors
British Library Online Contents | 2010| -
On the composition of microtwins in a single crystal nickel-based superalloy
British Library Online Contents | 2017| -
On the composition of microtwins in a single crystal nickel-based superalloy
British Library Online Contents | 2017| -
Diffraction effects and inelastic electron transport in angle-resolved microscopic imaging applications
Freier ZugriffBASE | 2017| -
Porous GaN and High- kappa MgO-GaN MOS Diode Layers Grown in a Single Step on Silicon
British Library Online Contents | 2014| -
Diffraction effects and inelastic electron transport in angle‐resolved microscopic imaging applications
British Library Online Contents | 2017| -
Surface Evolution of Lithium Titanate upon Electrochemical Cycling Using a Combination of Surface Specific Characterization Techniques
Freier ZugriffBASE | 2020|Beteiligte: Vilalta-Clemente, A.
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