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Characterization of Local Strain around Through-Silicon Via Interconnects by Using X-ray Microdiffraction
British Library Conference Proceedings | 2010| -
(Invited) Thermoelectric Properties of Tin-Incorporated Group-IV Thin Films
British Library Conference Proceedings | 2021| -
(Invited) Growth and Applications of Si~1~-~xSn~x Thin Films
British Library Conference Proceedings | 2017| -
Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co-Si systems
Online Contents | 2000| -
Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co-Si systems
Online Contents | 2000| -
Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates (5 pages)
British Library Online Contents | 2011| -
Crystal Growth of Epitaxial 3C-SiC Thin Film on Si Substrate by Chemical Vapor Deposition using Single Precursor of Vinylsilane
British Library Conference Proceedings | 2020| -
(Invited) Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design
British Library Conference Proceedings | 2020| -
Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates (5 pages)
British Library Conference Proceedings | 2011| -
Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si(001) Substrates Using Ti Intermediate Layer (5 pages)
British Library Online Contents | 2010| -
Formation of high-quality Ge~1~-~xSn~x layer on Ge(110) substrate with strain-induced confinement of stacking faults at Ge~1~-~xSn~x/Ge interfaces
British Library Online Contents | 2014| -
Effect of thermal cleaning on formation of epitaxial Ni germanide layer on Ge(110) substrate
British Library Conference Proceedings | 2014| -
Effect of thermal cleaning on formation of epitaxial Ni germanide layer on Ge(110) substrate
British Library Online Contents | 2014| -
Influence of Sn incorporation and growth temperature on crystallinity of Ge1-xSnx layers heteroepitaxially grown on Ge(110) substrates
British Library Online Contents | 2013| -
Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn
British Library Online Contents | 2012| -
Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method
British Library Online Contents | 2012|
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