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Synonyme wurden verwendet für: Feststoff
Suche ohne Synonyme: keywords:("Feststoff")
Verwendete Synonyme:
- fester stoff
- solid materials
- solid matters
- solid substances
- solids
-
Studies of Electron Screening Effects on the Electron Mobility in Silicon Surface Inversion Layers
NTIS | 1976|Schlagwörter: Band theory of solids -
Photothermal Ionization via Excited States of Sulfur Donor in Silicon
NTIS | 1971|Schlagwörter: Band theory of solids -
Effects of Diffusion Current on Characteristics of Metal-Oxide (Insulator)-Semiconductor Transistors
NTIS | 1966|Schlagwörter: Band theory of solids -
Thermal Emission Rates and Activation Energies of Electrons and Holes at Cobalt Centers in Silicon
NTIS | 1972|Schlagwörter: Band theory of solids -
Effects of Inhomogeneities of Surface-Oxide Charges on the Electron Energy Levels in a Semiconductor Surface-Inversion Layer
NTIS | 1973|Schlagwörter: Band theory of solids -
Theory of Localized States in Semiconductors. I. New Results Using an Old Method
NTIS | 1973|Schlagwörter: Band theory of solids -
Multivalley Effective-Mass Approximation for Donor States in Silicon. II. Deep-Level Group-VI Double-Donor Impurities
NTIS | 1971|Schlagwörter: Band theory of solids -
Determination of Deep Level Center Energy and Concentration by Thermally Stimulated Conductivity Measurements using Reverse-Biased P-N Junctions
NTIS | 1970|Schlagwörter: Band theory of solids -
Thermal Ionization Rates and Energies of Holes at the Double Acceptor Zinc Centers in Silicon
NTIS | 1972|Schlagwörter: Band theory of solids -
Direct Observation of the Multiplicity of Impurity Charge States in Semiconductors from Low-Temperature High-Frequency Photocapacitance
NTIS | 1969|Schlagwörter: Band theory of solids -
Multivalley Effective-Mass Approximation for Donor States in Silicon. I. Shallow-Level Group-V Impurities
NTIS | 1971|Schlagwörter: Band theory of solids -
Photoionization Cross Sections of Holes at Zinc Centers in Silicon
NTIS | 1971|Schlagwörter: Band theory of solids -
Thermal Emission and Capture of Electrons at Sulfur Centers in Silicon
NTIS | 1970|Schlagwörter: Band theory of solids -
Multi-Valley Effective-Mass Approximation of Shallow Donor Levels in Silicon
NTIS | 1970|Schlagwörter: Band theory of solids -
Properties of 1 M Electron Volts Electron-Irradiated Defect Centers in P-Type Silicon
NTIS | 1972|Schlagwörter: Band theory of solids -
Thermal Emission Rates of Carriers at Gold Centers in Silicon
NTIS | 1969|Schlagwörter: Band theory of solids -
Error Analysis of Surface State Density Determination Using the MOS Capacitance Method
NTIS | 1969|Schlagwörter: Band theory of solids
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