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Synonyme wurden verwendet für: Strom-Spannungs-Kennlinie
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Verwendete Synonyme:
- current voltage characteristic
- current voltage characteristics
- current voltage curve
- current voltage properties
- i u kennlinie
- i v characteristic
- i v characteristics
- j u kennlinie
- spannungs strom kennlinie
- strom spannungs charakteristik
- strom spannungs kurve
- u i kennlinie
- u j kennlinie
-
0.1-micron GaAs MESFET's fabricated using ion-implantation and photo-lithography
Tema Archiv | 1993|Schlagwörter: Strom-Spannungs-Kennlinie -
0.2 micron gate length, non-alloyed P(+)-AlInAs/N-AlInAs/GaInAs JHEMT with ft = 62 GHz
Tema Archiv | 1996|Schlagwörter: Strom-Spannungs-Kennlinie -
0.3-micron gate length P-channel AlGaAs/InGaAs heterostructure field effect transistors with high cut-off frequency
Tema Archiv | 1997|Schlagwörter: Strom-Spannungs-Kennlinie -
0.4-micrometer gate-lenght devices fabricated by constrast-enhanced lithography
Tema Archiv | 1983|Schlagwörter: STROM-SPANNUNGS-KENNLINIE -
0.5-micron bipolar technology using a new base formation method: SST1C
Tema Archiv | 1993|Schlagwörter: Strom-Spannungs-Kennlinie -
0.5 micron gate length InP/In(0.75)Ga(0.25)As/InP pseudomorphic HEMT with high DC and RF performance
Tema Archiv | 1993|Schlagwörter: I-U-Kennlinie -
0.5 micro SWAMI/NMOS process technology with electron beam lithography
Tema Archiv | 1985|Schlagwörter: STROM-SPANNUNGS-KENNLINIE -
0.15 micron T-shaped gate pseudomorphic HEMT fabricated using a new optical lithographic technique
Tema Archiv | 1996|Schlagwörter: Strom-Spannungs-Kennlinie -
0.15 mu m gate i-AlGaAs/n-GaAs HIGFET with a 13.3 S/Vcm K-value
Tema Archiv | 1993|Schlagwörter: Strom-Spannungs-Kennlinie, drain I-V characteristics -
0.25- mu m pseudomorphic HEMTs processed with damage-free dry-etch gate-recess technology
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: Strom-Spannungs-Kennlinie -
0.32 micron gate length InP-channel MODFETs with ft above 90 GHz
Tema Archiv | 1993|Schlagwörter: I-U-Kennlinie -
1.00 MeV proton radiation resistance studies of single-junction and single dual-junction amorphous-silicon alloy solar cells
Tema Archiv | 1990|Schlagwörter: STROM-SPANNUNGS-KENNLINIE -
1.0-micrometer n-well CMOS/bipolar technology
Tema Archiv | 1985|Schlagwörter: STROM-SPANNUNGS-KENNLINIE -
1.2-1.6 micrometer Ga(x)In(1-x)As(y)P(1-y)-InP DH lasers grown by LPMOCVD
Tema Archiv | 1984|Schlagwörter: STROM-SPANNUNGS-KENNLINIE -
1.3 and 1.5 micrometer wavelength wafer fused InAlGaAs/InP-AlGaAs/GaAs VCSELs with high single mode output power
Tema Archiv | 2007|Schlagwörter: Spannungs-Strom-Kennlinie -
1.3 micrometer surface-emitter (In, Ga) (As, P)/InP LED for transmission rates up to 200 Mbit/s
Tema Archiv | 1985|Schlagwörter: STROM-SPANNUNGS-KENNLINIE -
1.3 micron monolithic integrated optoelectronic receiver using an InGaAs MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs grown on GaAs
Tema Archiv | 1995|Schlagwörter: Strom-Spannungs-Kennlinie -
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Tema Archiv | 1987|Schlagwörter: STROM-SPANNUNGS-KENNLINIE
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