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Electrical properties and ion implantation of epitaxial GaN, grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1983| -
Quantum theory of hyperfine structure transitions in diatomic molecules
American Institute of Physics | 1979| -
A position-sensitive particle detector with a meander-type delay line
NationallizenzElsevier | 1985| -
Effect of fast neutron flux on the irradiation behaviour of graphitic materials and pyrolytic carbon
NationallizenzElsevier | 1977| -
Young's equilibrium contact angle on rough solid surfaces. Part I. An empirical determination
Taylor & Francis Verlag | 1989| -
A variable temperature x‐ray photoelectron spectroscopic study of the surface conversion of diethylaluminum azide to AlN
American Institute of Physics | 1990| -
Summary Abstract: Characterization of AlN films produced by chemical vapor deposition using a novel metal azide precursor
American Institute of Physics | 1988| -
Avalanche Breakdown in n‐Ge, p‐GaAs Heterojunctions
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1969|
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