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AlGaN/GaN-heterostructures on (111) 3C-SiC/Si pseudo substrates for high frequency applications
Online Contents | 2011|Beteiligte: Jatal, W., Pezoldt, J. -
High-Frequency Performance of GaN High-Electron Mobility Transistors on 3C-SiC/Si Substrates With Au-Free Ohmic Contacts
British Library Online Contents | 2015| -
AlGaN/GaN Based HEMTs on SiC/Si-Substrates: Influences on High Frequency Performance
British Library Online Contents | 2013| -
AlGaN/GaN-heterostructures on (111) 3C-SiC/Si pseudo substrates for high frequency applications
British Library Online Contents | 2011| -
Vertical design of cubic GaN-based high electron mobility transistors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Vertical design of cubic GaN-based high electron mobility transistors (8 pages)
British Library Online Contents | 2011| -
Waveguide monitors-a new type of beam position monitors for the TTF FEL
British Library Online Contents | 2004| -
Vertical design of cubic GaN-based high electron mobility transistors
Online Contents | 2011|Beteiligte: Tonisch, K., Jatal, W., Pezoldt, J. -
A MHz-repetition-rate hard X-ray free-electron laser driven by a superconducting linear accelerator
Springer Verlag | 2020| -
Measurement of the branching ratiosb →e ν X, μ ν X, τ ν X andν X
Freier ZugriffSpringer Verlag | 1996| -
Measurement of electroweak parameters from hadronic and leptonic decays of theZ0
Online Contents | 1991|
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