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Electronic polarizabilities of Tl+, Ag+, and Zn2+ ions estimated from refractive index measurements of TlNO3, AgNO3, and ZnCl2 melts
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1982| -
Fabrication of a silicon quantum wire surrounded by silicon dioxide and its transport properties
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1994| -
Mechanism of the formation of hydrogen‐induced interface states for Pt/silicon oxide/Si metal–oxide–semiconductor tunneling diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1995|
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