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Synonyme wurden verwendet für: Microwaves
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Verwendete Synonyme:
- hochstfrequenztechnik
- microwave
- mikrowelle
- mikrowellen
- mikrowellentechnik
-
0.1 mu m Ga0.51In0.49P/In0.2Ga0.8As PHEMT grown by GSMBE with high DC and RF performances
Tema Archiv | 1999|Schlagwörter: Mikrowellen-FET -
0.1 mu m gate length MODFETs with unity current gain cutoff frequency above 110 GHz
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: SOLID-STATE MICROWAVE DEVICES -
0.1 mu m high performance metamorphic In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As HEMT on GaAs using inverse step InAlAs buffer
Tema Archiv | 1999|Schlagwörter: Mikrowellen-FET -
0.1 THz rectangular waveguide on GaAs semi-insulating substrate
Tema Archiv | 1995|Schlagwörter: Mikrowellentechnik -
0.2 micron gate length pseudomorphic HIGFET using novel selfaligned TiPtAu/WN T-gate technology for high-speed digital and millimetre wave applications
Tema Archiv | 1993|Schlagwörter: Mikrowellentechnik -
0.5 W 2-21 GHz monolithic GaAs distributed amplifier
Tema Archiv | 1984|Schlagwörter: MICROWAVE PARAMETRIC AMPLIFIERS -
0.7 W X-Ku-band high-gain, high-efficiency common base power HBT
Tema Archiv | 1991|Schlagwörter: SOLID-STATE MICROWAVE DEVICES, MICROWAVE FREQUENCY BAND -
0.10 micron graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz f(T) and 340 GHz fmax
Tema Archiv | 1994|Schlagwörter: Mikrowellentechnik -
0.15 mu m gate-length AlGaN/GaN HEMTs with varying gate recess length
Tema Archiv | 2003|Schlagwörter: Mikrowellen-FET -
0.15 mu m gate-length double recess pseudomorphic HEMT with fmax of 350 GHz
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: SOLID-STATE MICROWAVE DEVICES -
0.23 mu m gate length MODFETs on InAlAs/InGaAs/InP heterostructure grown by MOVPE
Tema Archiv | 1991|Schlagwörter: SOLID-STATE MICROWAVE DEVICES -
0.25 mu m gate-length, MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs with high current and high fT
Tema Archiv | 2001|Schlagwörter: Mikrowellen-FET -
0.25- mu m gate millimeter-wave ion-implanted GaAs MESFETs
Tema Archiv | 1989|Schlagwörter: SOLID-STATE MICROWAVE DEVICES -
0.33- mu m gate-length millimeter-wave InP-channel HEMTs with high f1 and fmax
Tema Archiv | 1991|Schlagwörter: SOLID-STATE MICROWAVE DEVICES -
0.33- mu m millimeter-wave InP-channel HEMTs with high fT and fmax
Tema Archiv | 1991|Schlagwörter: SOLID-STATE MICROWAVE DEVICES, MICROWAVE GAINS, HIGH-POWER MICROWAVE -
0.83- and 1.3-micron microwave (2-18 GHz) fiber-optic links using directly modulated laser sources
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: MICROWAVE LINKS -
0-90 GHz InAlAs/InGaAs/InP HEMT distributed baseband amplifier IC
Tema Archiv | 1995|Schlagwörter: Mikrowellentechnik -
0 degrees -360 degrees wide range digital phase shifters for large array antenna systems
Tema Archiv | 1990|Schlagwörter: MICROWAVE MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS -
1.0-GHz thin-film bulk acoustic wave resonators on GaAs
Tema Archiv | 1983|Schlagwörter: MIKROWELLE, ACOUSTIC MICROWAVE DEVICES
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