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Hydrid-Gasphasenepitaxie von freistehenden semi-isolierenden GaN-Wafern : Projekt "TeleGaN" : Abschlussbericht : 01.01.2012-31.12.2015
Freier ZugriffTIBKAT | 2016|Schlagwörter: Galliumnitrid -
New assembly and packaging technologies for high-power and high-temperature GaN and SiC devices
Freier ZugriffTIBKAT | 2015|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Versetzungsaktivität und Rissbildung in Galliumarsenid und Galliumnitrid
TIBKAT | 2015|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Untersuchung der Spinrelaxation in GaN anhand spin- und zeitaufgelöster differentieller Reflektanzspektroskopie
TIBKAT | 2015|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Ionenstrahlgestützte Molekularstrahlepitaxie von Galliumnitrid-Schichten auf Silizium
Freier ZugriffTIBKAT | 2016|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Development of UV MCP Detectors
DataCite | 2021|Schlagwörter: Astronomie , Ultraviolett , Detektor , Galliumnitrid -
LED-based optical systems for structured illumination at the nanoscale
TIBKAT | 2020|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Dynamics of free and bound excitons in GaN nanowires: origin of the nonradiative recombination channel
TIBKAT | 2014|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Thermal and photo-activated molecular mechanisms of surface processes on TiO2(110) and GaN(0001)
TIBKAT | 2018|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Gallium Nitride Materials and Devices XII : 30 January-2 February 2017, San Francisco, California, United States
TIBKAT | 2017|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Verbundprojekt: "UVMOPA" Lasersysteme hoher Brillanz im ultravioletten Spektralbereich auf Basis eines GaN-basierten Master-Oszillators und Trapezverstärkers : Thema des Teilprojekts: Systemintegration von UV Laserdioden und Trapezverstärkern$dAbschlussbericht : Laufzeit: 01.08.2014-31.07.2017, Berichtszeitraum: 01.08.2014-31.07.2017
Freier ZugriffTIBKAT | 2018|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Verbundprojekt: "UVMOPA" Lasersysteme hoher Brillanz im ultravioletten Spektralbereich auf Basis eines GaN-basierten Master-Oszillators und Trapezverstärkers : Thema des Teilprojekts: Systemintegration von UV Laserdioden und Trapezverstärkern$dAbschlussbericht : Laufzeit: 01.08.2014-31.07.2017, Berichtszeitraum: 01.08.2014-31.07.2017
TIBKAT | 2018|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Förderschwerpunkt GaN-Substrate für die Kommunikationstechnik (CrysGaN) - Teilvorhaben: 2"-GaN-HVPE-Substratentwicklung" : Abschlussbericht ; Berichtszeitraum: 01.07.2006 bis 31.12.2010
Freier ZugriffTIBKAT | 2011|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Entwicklung einer Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN
Freier ZugriffTIBKAT | 2018|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications
TIBKAT | 2013|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications
GWLB - Gottfried Wilhelm Leibniz Bibliothek | 2013|Schlagwörter: Galliumnitrid -
High power AlGaN, GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications
Freier ZugriffTIBKAT | 2013|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Thermal and photo-activated molecular mechanisms of surface processes on TiO2(110) and GaN(0001)
TIBKAT | 2018|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Hochparallele Integration von nitridischen Mikro-Leuchtdioden auf flexiblen Sonden für die Anwendung in der Optogenetik
Freier ZugriffTIBKAT | 2016|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Wachstumskinetik der Gruppe-III-Nitride bei großen Gitterfehlanpassungen
TIBKAT | 2016|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Hochparallele Integration von nitridischen Mikro-Leuchtdioden auf flexiblen Sonden für die Anwendung in der Optogenetik
TIBKAT | 2016|Schlagwörter: Galliumnitrid -
BMBF-Verbundprojekt "Prozesstechnologien für die Halbleiter-Nanodraht-basierte Sensorik mit hohem Durchsatz (WireControl)" : Schlussbericht für das Teilvorhaben "GaN-basierte Nanodraht-Technologie für Sensorik mit hohem Durchsatz" : Laufzeit des Vorhabens: 01.10.2014 bis 31.03.2017, Berichtszeitraum: 01.10.2014 bis 31.03.2017
Freier ZugriffTIBKAT | 2017|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Nanostrukturen zur Lichtinduzierten Wasserstoffentwicklung (H2-NanoSolar) : Schlussbericht 2009 - 2012
Freier ZugriffTIBKAT | 2012|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Power GaN devices : materials, applications and reliability
TIBKAT | 2017|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Herstellung freistehender Galliumnitrid-Schichten
GWLB - Gottfried Wilhelm Leibniz Bibliothek | 2009|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Design and fabrication of GaN based laser diodes for single mode and narrow linewidth aplications
TIBKAT | 2013|Schlagwörter: Galliumnitrid -
SEM-based nano-analytical methods for 3D semiconductor microstructures
TIBKAT | 2020|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Generation of optical ultra–short pulses in (Al,In)GaN laser diodes
Freier ZugriffTIBKAT | 2015|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Wachstumskinetik der Gruppe-III-Nitride bei großen Gitterfehlanpassungen
Freier ZugriffTIBKAT | 2016|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Effect of Strain on the Band Line Up and Built in Electric Field of Strained AlGaN/GaN and InGaN/GaN Quantum Well
Tema Archiv | 2014|Schlagwörter: Galliumnitrid, GaN (Galliumnitrid) -
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier
Freier ZugriffTIBKAT | 2015|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology
TIBKAT | 2022|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Power combining solutions for high-power GaN MMICs at mm-wave frequencies
TIBKAT | 2022|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Comparison of Fe and Si doping of GaN: An EXAFS and Raman study
Tema Archiv | 2011|Schlagwörter: Galliumnitrid, eisendotiertes Galliumnitrid, siliciumdotiertes Galliumnitrid -
MOVPE selective area growth of GaN/InGaN rod and fin core-shell LEDs
TIBKAT | 2018|Schlagwörter: Galliumnitrid -
The effect of external stress on the electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs
Tema Archiv | 2015|Schlagwörter: Galliumnitrid, GaN (Galliumnitrid) -
Photoluminescence related to transition metal and carbon defects in GaN
Freier ZugriffTIBKAT | 2022|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Device Concept Study of GaN-on-Si HEMTs with Deeply Scaled Field Plate for Improved High Frequency Performance
Freier ZugriffTIBKAT | 2022|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
TIBKAT | 2017|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Investigations of GaN-based micro-pillars by a multi-scale scanning tunneling microscope
Freier ZugriffTIBKAT | 2012|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Analysis and optimization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors for microwave applications
TIBKAT | 2011|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Konstruktionen zur Optimierung der ammonothermalen Kristallisation von Galliumnitrid
Wiley | 2007|Schlagwörter: Galliumnitrid -
Plasma enhanced growth of GaN single crystalline layers from vapour phase
TIBKAT | 2014|Schlagwörter: Galliumnitrid
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