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Modeling of Radiation Damage Effects in Silicon Detectors at High Fluences HL-LHC with Sentaurus TCAD
Freier ZugriffBASE | 2016| -
Modeling of radiation damage effects in silicon detectors at high fluences HL-LHC with Sentaurus TCAD
British Library Online Contents | 2016| -
Negative capacitance devices: sensitivity analyses of the developed TCAD ferroelectric model for HZO
IOP Institute of Physics | 2022| -
Combined Bulk and Surface Radiation Damage Effects at Very High Fluences in Silicon Detectors: Measurements and TCAD Simulations
British Library Online Contents | 2016| -
TCAD simulations of non-irradiated and irradiated low-gain avalanche diodes and comparison with measurements
IOP Institute of Physics | 2022| -
Polycrystalline diamond detectors with three-dimensional electrodes
British Library Online Contents | 2015| -
Modeling of Radiation Damage Effects in Silicon Detectors at High Fluences HL-LHC with Sentaurus TCAD
Online Contents | 2015|Beteiligte: Morozzi, A
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