Photoelectron energy distribution and spin polarization from activated gallium arsenide (Englisch)
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In:
Journal de Physique Lettres
;
44
, 24
;
1027-1034
;
1983
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:Photoelectron energy distribution and spin polarization from activated gallium arsenide
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Beteiligte:Drouhin, H.-J. ( Autor:in ) / Hermann, C. ( Autor:in ) / Eminyan, M. ( Autor:in ) / Lampel, G. ( Autor:in )
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Erschienen in:Journal de Physique Lettres ; 44, 24 ; 1027-1034
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Verlag:
- Neue Suche nach: EDP Sciences
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Erscheinungsdatum:01.12.1983
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Format / Umfang:8 pages
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:gallium arsenide , semiconductor , nonthermalised electron effects , activated GaAs crystal , spin polarization , band bending region , photoelectron energy distribution , high resolution electron energy distribution , hot electron spin relaxation , photoelectron spectra , spin polarised electron emission , hot carriers
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 44, Ausgabe 24
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