Mesure du travail de sortie du système BI/BI (0001) (Französisch)
- Neue Suche nach: Hölzl, J.
- Neue Suche nach: Heimlich, C.
- Neue Suche nach: Chauvineau, J.P.
- Neue Suche nach: Pariset, C.
- Neue Suche nach: Hölzl, J.
- Neue Suche nach: Heimlich, C.
- Neue Suche nach: Chauvineau, J.P.
- Neue Suche nach: Pariset, C.
In:
Revue de Physique Appliquée
;
19
, 5
;
361-366
;
1984
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
-
Titel:Mesure du travail de sortie du système BI/BI (0001)
-
Beteiligte:Hölzl, J. ( Autor:in ) / Heimlich, C. ( Autor:in ) / Chauvineau, J.P. ( Autor:in ) / Pariset, C. ( Autor:in )
-
Erschienen in:Revue de Physique Appliquée ; 19, 5 ; 361-366
-
Verlag:
- Neue Suche nach: EDP Sciences
-
Erscheinungsdatum:01.05.1984
-
Format / Umfang:6 pages
-
ISSN:
-
DOI:
-
Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
-
Format:Elektronische Ressource
-
Sprache:Französisch
-
Schlagwörter:
-
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 19, Ausgabe 5
Zeige alle Jahrgänge und Ausgaben
Die Inhaltsverzeichnisse werden automatisch erzeugt und basieren auf den im Index des TIB-Portals verfügbaren Einzelnachweisen der enthaltenen Beiträge. Die Anzeige der Inhaltsverzeichnisse kann daher unvollständig oder lückenhaft sein.
- 361
-
Mesure du travail de sortie du système BI/BI (0001)Hölzl, J. / Heimlich, C. / Chauvineau, J.P. / Pariset, C. et al. | 1984
- 361
-
Mesure du travail de sortie du systeme Bi/Bi (0001)Holzl, J. / Heimlich, C. / Chauvineau, J.P. / Pariset, C. et al. | 1984
- 367
-
Stabilite de l'emission photoelectrique de couches minces d'argent recouvertes de cesium oxydeGautreau, L. / Septier, A. et al. | 1984
- 367
-
Stabilité de l'émission photoélectrique de couches minces d'argent recouvertes de césium oxydéGautreau, L. / Septier, A. et al. | 1984
- 379
-
Nature cristallo-physico-chimique de l'interface entre un semiconducteur et son oxyde propre. I. — Etudes expérimentales des semiconducteurs des groupes A4 et A3 B5Romanov, O.V. et al. | 1984
- 389
-
Nature cristallo-physico-chimique de l'interface entre un semiconducteur et son oxyde propre. II. — Une conception générale de l'interface semiconducteur-oxyde propreRomanov, O.V. et al. | 1984
- 395
-
Analyse des pertes rotoriques dissipées dans les machines synchrones associées à des convertisseurs statiquesLechat, D. / Rialland, J.F. / Bonnefille, R. et al. | 1984
- 403
-
Paramètres de plasma de la colonne positive des lasers hélium-vapeurs métalliques. I. Formule semi-empirique pour la section efficace électronique d'ionisation d'atomes de zinc et de cadmiumTa Van, T. et al. | 1984
- 409
-
Etude des propriétés d'un détecteur à galettes de microcanaux équipé d'une photocathode à iodure de césiumMoutard, P. / Laporte, P. / Damany, H. et al. | 1984
- 415
-
The third generation of multichannel Raman spectrometersDeffontaine, A. / Bridoux, M. / Delhaye, M. / Da Silva, E. / Hug, W. et al. | 1984
- 423
-
Revue de Livres| 1984