Recent developments in the study of the EL2 defect in GaAs (Englisch)
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In:
Revue de Physique Appliquée
;
23
, 5
;
726
;
1988
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:Recent developments in the study of the EL2 defect in GaAs
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Beteiligte:von Bardeleben, H.J. ( Autor:in ) / Pajot, B. ( Autor:in )
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Erschienen in:Revue de Physique Appliquée ; 23, 5 ; 726
-
Verlag:
- Neue Suche nach: EDP Sciences
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Erscheinungsdatum:01.05.1988
-
Format / Umfang:1 pages
-
ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
-
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 23, Ausgabe 5
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