Influence of the technological parameters on the growth of a-Si:H by a low pressure d.c. plasma process (Englisch)
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In:
Thin Solid Films
;
191
, 2
;
283-295
;
1990
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:Influence of the technological parameters on the growth of a-Si:H by a low pressure d.c. plasma process
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Beteiligte:Delgado, J.C. ( Autor:in ) / Andreu, J. ( Autor:in ) / Sardin, G. ( Autor:in ) / Morenza, J.L. ( Autor:in )
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Erschienen in:Thin Solid Films ; 191, 2 ; 283-295
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:09.05.1990
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Format / Umfang:13 pages
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 191, Ausgabe 2
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