High drive current NMOS with Si-SiGe heterostructure low electric field channel (Englisch)
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In:
IEEE Electron Device Letters
;
25
, 10
;
699-701
;
2004
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
-
Titel:High drive current NMOS with Si-SiGe heterostructure low electric field channel
-
Beteiligte:Shima, M. ( Autor:in ) / Hatada, A. ( Autor:in ) / Shimamune, Y. ( Autor:in ) / Katakami, A. ( Autor:in ) / Hori, M. ( Autor:in ) / Kojima, M. ( Autor:in ) / Kase, M. ( Autor:in ) / Hashimoto, K. ( Autor:in ) / Mishima, Y. ( Autor:in ) / Nakamura, S. ( Autor:in )
-
Erschienen in:IEEE Electron Device Letters ; 25, 10 ; 699-701
-
Verlag:
- Neue Suche nach: IEEE
-
Erscheinungsdatum:01.10.2004
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Format / Umfang:161316 byte
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ISSN:
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DOI:
-
Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
-
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 25, Ausgabe 10
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