A Model for Multilevel Phase-Change Memories Incorporating Resistance Drift Effects (Englisch)
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In:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
;
3
, 1
;
15-23
;
2015
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:A Model for Multilevel Phase-Change Memories Incorporating Resistance Drift Effects
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Beteiligte:Cobley, Rosie A. ( Autor:in ) / Wright, C. D. ( Autor:in ) / Vazquez Diosdado, Jorge A. ( Autor:in )
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Erschienen in:IEEE Journal of the Electron Devices Society ; 3, 1 ; 15-23
-
Verlag:
- Neue Suche nach: IEEE
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Erscheinungsdatum:01.01.2015
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Format / Umfang:1751799 byte
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 3, Ausgabe 1
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Table of contents| 2015
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IEEE Journal of the Electron Devices Society information for authors| 2015