Observation of high-frequency high-field instability in GaAs/InGaAs/AlGaAs DH-MODFETs at K band (Englisch)
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- Neue Suche nach: Eastman, L.F.
In:
IEEE Electron Device Letters
;
9
, 1
;
1-3
;
1988
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:Observation of high-frequency high-field instability in GaAs/InGaAs/AlGaAs DH-MODFETs at K band
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Beteiligte:Chen, Y.K. ( Autor:in ) / Radulescu, D.C. ( Autor:in ) / Wang, G.W. ( Autor:in ) / Najjar, F.E. ( Autor:in ) / Eastman, L.F. ( Autor:in )
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Erschienen in:IEEE Electron Device Letters ; 9, 1 ; 1-3
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Verlag:
- Neue Suche nach: IEEE
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Erscheinungsdatum:01.01.1988
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Format / Umfang:296841 byte
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 9, Ausgabe 1
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Observation of high-frequency high-field instability in GaAs/InGaAs/AlGaAs DH-MODFETs at K bandChen, Y.K. / Radulescu, D.C. / Wang, G.W. / Najjar, F.E. / Eastman, L.F. et al. | 1988
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