Topological analysis of stationary behaviour of transferred electron devices with n+-n-n+ structure (Englisch)
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In:
IEE Journal on Solid-State and Electron Devices
;
3
, 5
;
145-154
;
1979
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Topological analysis of stationary behaviour of transferred electron devices with n+-n-n+ structure
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Beteiligte:
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Erschienen in:IEE Journal on Solid-State and Electron Devices ; 3, 5 ; 145-154
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:01.09.1979
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Format / Umfang:10 pages
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 3, Ausgabe 5
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Nonequilibrium response of m.o.s. devices to a linear voltage ramp in the presence of illuminationAllman, P.G.C. / Board, K. et al. | 1979
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The determination of interfacial and bulk properties of gold in m.o.s. structures using quasiequilibrium and non-steady-state linear voltage-ramp techniquesFaraone, L. / Nassibian, A.G. / Simmons, J.G. et al. | 1979
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Ar ion implant damage gettering of generation impurities in silicon employing voltage ramping and nitrogen backscatteringGolja, B. / Nassibian, A.G. et al. | 1979
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Computer simulation of a dual gate GaAs field-effect transistor using the Monte Carlo methodMoglestue, C. et al. | 1979
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Calculation of thermal noise in j.f.e.t.sSchröder, D. / Weinhausen, G. et al. | 1979
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Hot-electron camel transistorShannon, J.M. et al. | 1979
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Topological analysis of stationary behaviour of transferred electron devices with n+-n-n+ structureTateno, H. / Kataoka, S. / Tomizawa, K. et al. | 1979
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The noise characteristics of baritt diodes with trapsHarutunian, V.M. / Buniatian, V.V. et al. | 1979
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Analysis of the optically controlled Impatt (Opcad) oscillatorForrest, J.R. / Seeds, A.J. et al. | 1979