GaN based ultraviolet laser diodes (Englisch)
- Neue Suche nach: Yang, Jing
- Neue Suche nach: Zhao, Degang
- Neue Suche nach: Liu, Zongshun
- Neue Suche nach: Huang, Yujie
- Neue Suche nach: Wang, Baibin
- Neue Suche nach: Wang, Xiaowei
- Neue Suche nach: Zhang, Yuheng
- Neue Suche nach: Zhang, Zhenzhuo
- Neue Suche nach: Liang, Feng
- Neue Suche nach: Duan, Lihong
- Neue Suche nach: Wang, Hai
- Neue Suche nach: Shi, Yongsheng
- Neue Suche nach: Yang, Jing
- Neue Suche nach: Zhao, Degang
- Neue Suche nach: Liu, Zongshun
- Neue Suche nach: Huang, Yujie
- Neue Suche nach: Wang, Baibin
- Neue Suche nach: Wang, Xiaowei
- Neue Suche nach: Zhang, Yuheng
- Neue Suche nach: Zhang, Zhenzhuo
- Neue Suche nach: Liang, Feng
- Neue Suche nach: Duan, Lihong
- Neue Suche nach: Wang, Hai
- Neue Suche nach: Shi, Yongsheng
In:
Journal of Semiconductors
;
45
, 1
;
2024
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
-
Titel:GaN based ultraviolet laser diodes
-
Beteiligte:Yang, Jing ( Autor:in ) / Zhao, Degang ( Autor:in ) / Liu, Zongshun ( Autor:in ) / Huang, Yujie ( Autor:in ) / Wang, Baibin ( Autor:in ) / Wang, Xiaowei ( Autor:in ) / Zhang, Yuheng ( Autor:in ) / Zhang, Zhenzhuo ( Autor:in ) / Liang, Feng ( Autor:in ) / Duan, Lihong ( Autor:in )
-
Erschienen in:Journal of Semiconductors ; 45, 1
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Chinese Institute of Electronics
-
Erscheinungsdatum:01.01.2024
-
Format / Umfang:10 pages
-
ISSN:
-
DOI:
-
Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
-
Format:Elektronische Ressource
-
Sprache:Englisch
-
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 45, Ausgabe 1
Zeige alle Jahrgänge und Ausgaben
Die Inhaltsverzeichnisse werden automatisch erzeugt und basieren auf den im Index des TIB-Portals verfügbaren Einzelnachweisen der enthaltenen Beiträge. Die Anzeige der Inhaltsverzeichnisse kann daher unvollständig oder lückenhaft sein.
-
Enhanced magnetic anisotropy and high hole mobility in magnetic semiconductor Ga1-x-y Fe x Ni y SbDeng, Zhi / Wang, Hailong / Wei, Qiqi / Liu, Lei / Sun, Hongli / Pan, Dong / Wei, Dahai / Zhao, Jianhua et al. | 2024
-
Electrical properties and structural optimization of GaN/InGaN/GaN tunnel junctions grown by molecular beam epitaxyFang, Jun / Zhang, Fan / Yang, Wenxian / Tian, Aiqin / Liu, Jianping / Lu, Shulong / Yang, Hui et al. | 2024
-
Optimized operation scheme of flash-memory-based neural network online training with ultra-high enduranceFeng, Yang / Sun, Zhaohui / Qi, Yueran / Zhan, Xuepeng / Zhang, Junyu / Liu, Jing / Kobayashi, Masaharu / Wu, Jixuan / Chen, Jiezhi et al. | 2024
-
Anisotropic etching mechanisms of 4H-SiC: Experimental and first-principles insightsYang, Guang / Xu, Lingbo / Cui, Can / Pi, Xiaodong / Yang, Deren / Wang, Rong et al. | 2024
-
A 24−30 GHz 8-element dual-polarized 5G FR2 phased-array transceiver IC with 20.8-dBm TX OP1dB and 4.1-dB RX NFin 65-nm CMOSYi, Yongran / Zhao, Dixian / Zhang, Jiajun / Gu, Peng / Xu, Chenyu / Chai, Yuan / Liu, Huiqi / You, Xiaohu et al. | 2024
-
Effect of drying methods on perovskite films and solar cellsLiu, Ling / Zuo, Chuantian / Liang, Guang-Xing / Dong, Hua / Chang, Jingjing / Ding, Liming et al. | 2024
-
Bidirectional rectifier with gate voltage control based on Bi2O2Se/WSe2 heterojunctionLi, Ruonan / Lu, Fangchao / Deng, Jiajun / Fu, Xingqiu / Wang, Wenjie / Tian, He et al. | 2024
-
GaN based ultraviolet laser diodesYang, Jing / Zhao, Degang / Liu, Zongshun / Huang, Yujie / Wang, Baibin / Wang, Xiaowei / Zhang, Yuheng / Zhang, Zhenzhuo / Liang, Feng / Duan, Lihong et al. | 2024
-
11.2 W/mm power density AlGaN/GaN high electron-mobility transistors on a GaN substrateHu, Yansheng / Wang, Yuangang / Wang, Wei / Lv, Yuanjie / Guo, Hongyu / Zhang, Zhirong / Yu, Hao / Song, Xubo / zhou, Xingye / Han, Tingting et al. | 2024
-
240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs: size effect versus edge effectLu, Shunpeng / Bai, Jiangxiao / Li, Hongbo / Jiang, Ke / Ben, Jianwei / Zhang, Shanli / Zhang, Zi-Hui / Sun, Xiaojuan / Li, Dabing et al. | 2024