Oxygen profiling in Czochralski-grown silicon substrates submitted to a rapid thermal annealing by using charged particles activation analysis (Englisch)
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In:
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms
;
145
, 4
; 562-566
;
1998
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
-
Titel:Oxygen profiling in Czochralski-grown silicon substrates submitted to a rapid thermal annealing by using charged particles activation analysis
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Beteiligte:
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Erschienen in:
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Verlag:
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Erscheinungsort:Amsterdam [u.a.]
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Erscheinungsdatum:1998
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ISSN:
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ZDBID:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 145, Ausgabe 4
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