Extraction of RDS(ON) of n-Channel Power MOSFET by Numerical Simulation Model (Englisch)
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In:
Active and passive electronic components
;
23
, 4
; 175-184
;
2000
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Extraction of RDS(ON) of n-Channel Power MOSFET by Numerical Simulation Model
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Beteiligte:Salame, C.-T. ( Autor:in )
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Erschienen in:Active and passive electronic components ; 23, 4 ; 175-184
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Gordon and Breach
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Erscheinungsort:New York, NY [u.a.]
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Erscheinungsdatum:2000
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ISSN:
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ZDBID:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 23, Ausgabe 4
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Extraction of RDS(ON) of n-Channel Power MOSFET by Numerical Simulation ModelSalame, C.-T. et al. | 2000
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