Misfit dislocation generated in InAs epilayer and InP substrate interfaces grown by metalorganic chemical-vapor deposition (Englisch)
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In:
Materials letters
;
53
, 6
; 446-451
;
2002
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
-
Titel:Misfit dislocation generated in InAs epilayer and InP substrate interfaces grown by metalorganic chemical-vapor deposition
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Beteiligte:Kim, Jwayeon ( Autor:in ) / Yun, Euijung / Yu, Jaekeun / Park, Kyeongsoon / Chai, Sanghoon / Yang, Jungsung / Choi, Sangwook
-
Erschienen in:Materials letters ; 53, 6 ; 446-451
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Elsevier
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Erscheinungsort:New York, NY [u.a.]
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Erscheinungsdatum:2002
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ISSN:
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ZDBID:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
BKL: 51.00 Werkstoffkunde: Allgemeines -
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 53, Ausgabe 6
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