Advanced silicon technology - Silicon CMOS devices beyond scaling (Englisch)
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In:
IBM journal of research and development
;
50
, 4-5
; 339-362
;
2006
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Advanced silicon technology - Silicon CMOS devices beyond scaling
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Beteiligte:Haensch, W. ( Autor:in ) / Nowak, E.J. / Dennard, R.H. / Solomon, P.M. / Bryant, A. / Dokumaci, O.H. / Kumar, A. / Wang, X. / Johnson, J.B. / Fischetti, M.V.
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Erschienen in:IBM journal of research and development ; 50, 4-5 ; 339-362
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Verlag:
- Neue Suche nach: IBM
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Erscheinungsort:Armonk, NY
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Erscheinungsdatum:2006
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ISSN:
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ZDBID:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 50, Ausgabe 4-5
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Advanced silicon technology - PrefaceHaensch, W. et al. | 2006
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Silicon CMOS devices beyond scalingHaensch, W. / Nowak, E. J. / Dennard, R. H. / Solomon, P. M. / Bryant, A. / Dokumaci, O. H. / Kumar, A. / Wang, X. / Johnson, J. B. / Fischetti, M. V. et al. | 2006
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Advanced silicon technology - Silicon CMOS devices beyond scalingHaensch, W. et al. | 2006
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Continuous MOSFET performance increase with device scaling: The role of strain and channel material innovationsAntoniadis, D. A. / Aberg, I. / Chleirigh, C. N. / Nayfeh, O. M. / Khakifirooz, A. / Hoyt, J. L. et al. | 2006
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Advanced silicon technology - Continuous MOSFET performance increase with device scaling: The role of strain and channel material innovationsAntoniadis, D.A. et al. | 2006
- 377
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Advanced silicon technology - Germanium channel MOSFETs: Opportunities and challengesShang, H. et al. | 2006
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Germanium channel MOSFETs: Opportunities and challengesShang, H. / Frank, M. M. / Gusev, E. P. / Chu, J. O. / Bedell, S. W. / Guarini, K. W. / Ieong, M. et al. | 2006
- 387
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Advanced high-kappa dielectric stacks with polySi and metal gates: Recent progress and current challengesGusev, E. P. / Narayanan, V. / Frank, M. M. et al. | 2006
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Advanced silicon technology - Advanced high-k dielectric stacks with polySi and metal gates: Recent progress and current challengesGusev, E.P. et al. | 2006
- 411
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Advanced silicon technology - Emerging nanoscale silicon devices taking advantage of nanostructure physicsHiramoto, T. et al. | 2006
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Emerging nanoscale silicon devices taking advantage of nanostructure physicsHiramoto, T. / Saitoh, M. / Tsutsui, G. et al. | 2006
- 419
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Advanced silicon technology - Optimizing CMOS technology for maximum performanceFrank, D.J. et al. | 2006
- 419
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Optimizing CMOS technology for maximum performanceFrank, D. J. / Haensch, W. / Shahidi, G. / Dokumaci, O. H. et al. | 2006
- 433
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High-performance CMOS variability in the 65-nm regime and beyondBernstein, K. / Frank, D. J. / Gattiker, A. E. / Haensch, W. / Ji, B. L. / Nassif, S. R. / Nowak, E. J. / Pearson, D. J. / Rohrer, N. J. et al. | 2006
- 433
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Advanced silicon technology - High-performance CMOS variability in the 65-nm regime and beyondBernstein, K. et al. | 2006
- 451
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Advanced silicon technology - Product-representative "at speed" test structures for CMOS characterizationKetchen, M.B. et al. | 2006
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Product-representative "at speed" test structures for CMOS characterizationKetchen, M. B. / Bhushan, M. et al. | 2006
- 469
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Advanced silicon technology - Ultralow-voltage, minimum-energy CMOSHanson, S. et al. | 2006
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Ultralow-voltage, minimum-energy CMOSHanson, S. / Zhai, B. / Bernstein, K. / Blaauw, D. / Bryant, A. / Chang, L. / Das, K. K. / Haensch, W. / Nowak, E. J. / Sylvester, D. M. et al. | 2006
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Three-dimensional integrated circuitsTopol, A. W. / La Tulipe, D. C. / Shi, L. / Frank, D. J. / Bernstein, K. / Steen, S. E. / Kumar, A. / Singco, G. U. / Young, A. M. / Guarini, K. W. et al. | 2006
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Advanced silicon technology - Three-dimensional integrated circuitsTopol, A.W. et al. | 2006
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Victim management in a cache hierarchyFranaszek, P.A. et al. | 2006