Effect of post-growth anneal on the photoluminescence properties of GaSbBi (Englisch)
- Neue Suche nach: Das, S K
- Neue Suche nach: Das, S K
- Neue Suche nach: Das, T D
- Neue Suche nach: Dhar, S
In:
Semiconductor science and technology
;
29
, 1
; 15003-15003
;
2014
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
-
Titel:Effect of post-growth anneal on the photoluminescence properties of GaSbBi
-
Beteiligte:
-
Erschienen in:Semiconductor science and technology ; 29, 1 ; 15003-15003
-
Verlag:
- Neue Suche nach: IOP Publ.
-
Erscheinungsort:Bristol
-
Erscheinungsdatum:2014
-
ISSN:
-
ZDBID:
-
Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
- Neue Suche nach: 275/3475/5670
-
Schlagwörter:
-
Klassifikation:
-
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 29, Ausgabe 1
Zeige alle Jahrgänge und Ausgaben
Die Inhaltsverzeichnisse werden automatisch erzeugt und basieren auf den im Index des TIB-Portals verfügbaren Einzelnachweisen der enthaltenen Beiträge. Die Anzeige der Inhaltsverzeichnisse kann daher unvollständig oder lückenhaft sein.
- 15001
-
Synthesis and electrical characterization of Zn3P2 nanowiresKamimura, H et al. | 2014
- 15002
-
Thermal property of transparent silver nanowire filmsPark, J W et al. | 2014
- 15003
-
Effect of post-growth anneal on the photoluminescence properties of GaSbBiDas, S K et al. | 2014
- 15004
-
Carrier dynamics and photoelectrical parameters in highly compensated sublimation grown 3C-SiC layers studied by time-resolved nonlinear optical techniquesLiaugaudas, G et al. | 2014
- 15005
-
Micro-structured light emission from planar InGaN light-emitting diodesMassoubre, David et al. | 2014
- 15006
-
Graphite/CdMnTe Schottky diodes and their electrical characteristicsKosyachenko, L A et al. | 2014
- 15007
-
Fabrication and characterization of anisotype heterojunctions n-TiN/p-CdTeSolovan, M M et al. | 2014
- 15008
-
Investigation of p-type junction-less independent double-gate poly-Si nano-strip transistorsLiu, Keng-Ming et al. | 2014
- 15009
-
Investigations of nanocrystalline SnS films' surface morphology modification during inductively coupled argon plasma sputteringZimin, S P et al. | 2014
- 15010
-
Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETsTan, Fei et al. | 2014
- 15011
-
A high performance charge plasma based lateral bipolar transistor on selective buried oxideLoan, Sajad A et al. | 2014
- 15012
-
On the role and modeling of compressive strain in Si-Ge interdiffusion for SiGe heterostructuresDong, Yuanwei et al. | 2014
- 19501
-
Corrigendum: Diffused transmission and texture-induced defect with transparent conducting oxide front electrode of amorphous silicon solar cellPark, Hyeongsik et al. | 2014