Analysis of leakage reduction technique on FinFET based 7T and 8T SRAM cells (Englisch)
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In:
Radioelectronics and communications systems
;
57
, 9
; 383-393
;
2014
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Analysis of leakage reduction technique on FinFET based 7T and 8T SRAM cells
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Beteiligte:Kushwah, Ravindra Singh ( Autor:in ) / Akashe, Shyam ( Autor:in )
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Erschienen in:Radioelectronics and communications systems ; 57, 9 ; 383-393
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Verlag:
- Neue Suche nach: Allerton Press
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Erscheinungsort:New York, NY
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Erscheinungsdatum:2014
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ISSN:
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ZDBID:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
Lokalklassifikation TIB: 770/5650/8000 BKL: 53.00 Elektrotechnik: Allgemeines -
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 57, Ausgabe 9
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Analysis of leakage reduction technique on FinFET based 7T and 8T SRAM cellsKushwah, Ravindra Singh / Akashe, Shyam et al. | 2014
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Increase of accuracy of definition of coordinates by multi-position passive complexes on a basis of difference-distance measuring method and the problem solution in redundancy conditionsPozdniakov, Y. K. / Tkachenko, V. N. / Korotkov, V. V. et al. | 2014
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Component correlation analysis of vectorial periodically non-stationary random processesYavorskyj, I. N. / Yuzefovych, R. / Matsko, I. Y. / Shevchik, V. et al. | 2014
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Comparative analysis of CMOS adders circuits based on 10 transistorsPilipko, M. M. / Morozov, D. V. et al. | 2014
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Quasi-planar K-band push-push low phase noise oscillator stabilized by cavity resonatorTsvelykh, I. et al. | 2014