Influence of alloy composition, substrate temperature, and doping concentration on electrical properties of Si-doped n-$ Al_{x} $ $ Ga_{1−x} $ As grown by molecular beam epitaxy (Englisch)
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In:
Journal of Electronic Materials
;
13
, 2
; 281-308
;
1984
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Influence of alloy composition, substrate temperature, and doping concentration on electrical properties of Si-doped n-$ Al_{x} $ $ Ga_{1−x} $ As grown by molecular beam epitaxy
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Beteiligte:Künzel, H. ( Autor:in ) / Ploog, K. ( Autor:in ) / Wünstel, K. ( Autor:in ) / Zhou, B. L. ( Autor:in )
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Erschienen in:Journal of Electronic Materials ; 13, 2 ; 281-308
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Verlag:
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Erscheinungsort:Warrendale, Pa.
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Erscheinungsdatum:1984
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ISSN:
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ZDBID:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 13, Ausgabe 2
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The relationship between moisture resistance and epoxy molding compounds in integrated circuitsNakagawa, Osamu / Sasaki, Ikuo / Hamamura, Hideo / Banjo, Toshinobu et al. | 1984
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CVD-SiO2 and plasma-SiNx films as Zn diffusion masks for GaAsBlaauw, C. / SpringThorpe, A. J. / Dzioba, S. / Emmerstorfer, B. et al. | 1984
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Thin films of ZrO2 metal organic chemical vapor depositionBen-Dor, L. / Elshtein, A. / Halabi, S. / Pinsky, I. / Shappir, J. et al. | 1984
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Thin film Al2O3:TiO2 composite dielectricTiku, S. K. / Smith, G. C. et al. | 1984
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Influence of alloy composition, substrate temperature, and doping concentration on electrical properties of Si-doped n-Alx Ga1−x As grown by molecular beam epitaxyKünzel, H. / Ploog, K. / Wünstel, K. / Zhou, B. L. et al. | 1984
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Electronic transport properties of tungsten silicide thin filmsMartin, T. L. / Malhotra, V. / Mahan, J. E. et al. | 1984
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Titanium nitride as a diffusion barrier between nickel silicide and aluminumFinetti, M. / Suni, I. / Nicolet, M. -A. et al. | 1984
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Junction solar cells made with molecular beam glow discharge bombardmentCaine, E. J. / Charlson, E. J. et al. | 1984
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Neutralization of electrically active aluminum in recrystallized silicon-on-sapphire filmsGolecki, I. / Maddox, R. L. / Stika, K. M. et al. | 1984
- 401
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The role of defects in the diffusion and activation of impurities in ion implanted semiconductorsFarley, C. W. / Streetman, B. G. et al. | 1984
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The effects of the growth temperature on AlxGal-xAs (0≤ x ≤0.37) LED materials grown by OM-VPETsai, M. J. / Tashima, M. M. / Moon, R. L. et al. | 1984