$ C_{60} $ growth on Si(100), GaSe(0001) and GeS(001) (Englisch)
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In:
Applied Physics A
;
56
, 3
; 175-183
;
1993
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
-
Titel:$ C_{60} $ growth on Si(100), GaSe(0001) and GeS(001)
-
Beteiligte:Gensterblum, G. ( Autor:in ) / Yu, L. -M. ( Autor:in ) / Pireaux, J. -J. ( Autor:in ) / Thiry, P. A. ( Autor:in ) / Caudano, R. ( Autor:in ) / Themlin, J. -M. ( Autor:in ) / Bouzidi, S. ( Autor:in ) / Coletti, F. ( Autor:in ) / Debever, J. -M. ( Autor:in )
-
Erschienen in:Applied Physics A ; 56, 3 ; 175-183
-
Verlag:
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- Neue Suche nach: Springer
-
Erscheinungsort:Berlin
-
Erscheinungsdatum:1993
-
ISSN:
-
ZDBID:
-
DOI:
-
Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
-
Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
BKL: 51.00 Werkstoffkunde: Allgemeines / 33.60 Kondensierte Materie: Allgemeines / 53.09 Werkstoffe der Elektrotechnik Lokalklassifikation TIB: 020/3475/3485 -
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 56, Ausgabe 3
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- A5
-
Forthcoming papers| 1993
- 5
-
Contents of Applied Physics B Volume 56, Number 3, March 1993| 1993
- 159
-
EditorialKuzmany, Hans et al. | 1993
- 161
-
A double-temperature-gradient technique for the growth of single-crystal fullerites from the vapor phaseHaluška, M. / Kuzmany, H. / Vybornov, M. / Rogl, P. / Fejdi, P. et al. | 1993
- 169
-
Preparation and crystal structure of C60S16Roth, G. / Adelmann, P. et al. | 1993
- 175
-
C60 growth on Si(100), GaSe(0001) and GeS(001)Gensterblum, G. / Yu, L. -M. / Pireaux, J. -J. / Thiry, P. A. / Caudano, R. / Themlin, J. -M. / Bouzidi, S. / Coletti, F. / Debever, J. -M. et al. | 1993
- 175
-
C60 Growth on Si(100), GaSe(0001) and GeS(001). Influence of the Substrate on the Film CrystallinityGensterblum, G. et al. | 1993
- 185
-
The growth of crystalline vapor deposited carbon-60 thin filmsKrakow, W. / Rivera, N. M. / Roy, R. A. / Ruoff, R. S. / Cuomo, J. J. et al. | 1993
- 193
-
Pseudo-epitaxial C60 films prepared by a hot-wall methodFischer, J. E. / Werwa, E. / Heiney, P. A. et al. | 1993
- 197
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Determination of C60/C70 ratios in fullerene mixtures and film characterization by scanning tunneling microscopyLang, H. P. / Thommen-Geiser, V. / Bolm, C. / Felder, M. / Frommer, J. / Wiesendanger, R. / Werner, H. / Schlögl, R. / Zahab, A. / Bernier, P. et al. | 1993
- 207
-
Atomic force microscopy of C60/C70 single-crystal fullerenes under ethanolDietz, P. / Hansma, P. / Fostiropoulos, K. / Krätschmer, W. et al. | 1993
- 211
-
High-temperature conductivity study on single-crystal C60Kremer, R. K. / Rabenau, T. / Maser, W. K. / Kaiser, M. / Simon, A. / Haluška, M. / Kuzmany, H. et al. | 1993
- 215
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Orientational correlations and order in A3C60Gelfand, M. P. / Lu, J. P. et al. | 1993
- 215
-
Orientational Correlations and Order in A3C60. Consequences for Density of States and ConductivityGelfand, M.P. et al. | 1993
- 219
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Thermal conductivity of C60 and C70 crystalsTea, N. H. / Yu, R. -C. / Salamon, M. B. / Lorents, D. C. / Malhotra, R. / Ruoff, R. S. et al. | 1993
- 227
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Phase transition at 240 K in C70 single crystalMeingast, C. / Gugenberger, F. / Haluska, M. / Kuzmany, H. / Roth, G. et al. | 1993
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Shift of the optical absorption edge in C60 clathrate single crystalsKamarás, K. / Breitschwerdt, A. / Pekker, S. / Fodor-Csorba, K. / Faigel, G. / Tegze, M. et al. | 1993
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Nonlinear luminescence phenomena in fullerene crystallitesByrne, H. J. / Maser, W. K. / Rühle, W. W. / Mittelbach, A. / Roth, S. et al. | 1993
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Raman spectra of single-crystal C60Matus, M. / Kuzmany, H. et al. | 1993
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Thermal Equilibrium Concentrations and Effects of Negatively Charged Ga Vacancies in n-Type GaAs (Invited)Tan, T.Y. et al. | 1993
- 249
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Thermal equilibrium concentrations and effects of negatively charged Ga vacancies in n-type GaAsTan, T. Y. / You, H. -M. / Gösele, U. M. et al. | 1993
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Temperature dependence of the refractive index of crystalline germanium-silicon alloysHumlíček, J. / Garriga, M. et al. | 1993
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Wavelength dependence of second-harmonic generation at the copper surfacePetrocelli, G. / Martellucci, S. / Francini, R. et al. | 1993
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Excimer laser projection-patterned deposition of Al via photolytically driven decomposition of trialkylamine alane as adsorbate precursorFoulon, F. / Stuke, M. et al. | 1993
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Ultraviolet-laser-induced permanent electrical conductivity in polyimideFeurer, T. / Sauerbrey, R. / Smayling, M. C. / Story, B. J. et al. | 1993
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Argon-ion laser direct-write Al deposition from trialkylamine alane precursorsFoulon, F. / Stuke, M. et al. | 1993
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Virtual-surfactant-induced wetting in stained-layer heteroepitaxyTournieé, F. / Brandt, O. / Hohenstein, M. et al. | 1993
- 290
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Virtual-Surfactant-Induced Wetting in Strained-Layer HeteroepitaxyTournié, E. et al. | 1993