Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN (Englisch)
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In:
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth
;
Kapitel: 2
;
31-60
;
2010
- Aufsatz/Kapitel (Buch) / Elektronische Ressource
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Titel:Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN
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Weitere Titelangaben:Springer Ser.Materials
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Beteiligte:Ehrentraut, Dirk ( Herausgeber:in ) / Meissner, Elke ( Herausgeber:in ) / Bockowski, Michal ( Herausgeber:in ) / Koukitu, Akinori ( Autor:in ) / Kumagai, Yoshinao ( Autor:in )
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Erschienen in:Technology of Gallium Nitride Crystal Growth ; Kapitel: 2 ; 31-60Springer Series in Materials Science ; 133 ; 31-60
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Verlag:
- Neue Suche nach: Springer Berlin Heidelberg
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Erscheinungsort:Berlin, Heidelberg
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Erscheinungsdatum:16.03.2010
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Format / Umfang:30 pages
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ISBN:
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz/Kapitel (Buch)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis E-Book
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Development of the Bulk GaN Substrate MarketHanser, Andrew D. / Evans, Keith R. et al. | 2010
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Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaNKoukitu, Akinori / Kumagai, Yoshinao et al. | 2010
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Growth of Bulk GaN Crystals by HVPE on Single Crystalline GaN SeedsŁucznik, B. / Pastuszka, B. / Kamler, G. / Grzegory, I. / Porowski, S. et al. | 2010
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Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using Void-Assisted Separation TechnologyOshima, Y. / Yoshida, T. / Eri, T. / Watanabe, K. / Shibata, M. / Mishima, T. et al. | 2010
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Nonpolar and Semipolar GaN Growth by HVPEFini, Paul T. / Haskell, Benjamin A. et al. | 2010
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High Growth Rate MOVPEMatsumoto, K. / Tokunaga, H. / Ubukata, A. / Ikenaga, K. / Fukuda, Y. / Yano, Y. / Tabuchi, T. / Kitamura, Y. / Koseki, S. / Yamaguchi, A. et al. | 2010
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Ammonothermal Growth of GaN Under Ammono-Basic ConditionsDoradziński, R. / Dwiliński, R. / Garczyński, J. / Sierzputowski, L. P. / Kanbara, Y. et al. | 2010
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A Pathway Toward Bulk Growth of GaN by the Ammonothermal MethodHashimoto, Tadao / Nakamura, Shuji et al. | 2010
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Acidic Ammonothermal Growth Technology for GaNEhrentraut, Dirk / Kagamitani, Yuji et al. | 2010
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High Pressure Solution Growth of Gallium NitrideBoćkowski, Michal / Strąk, Pawel / Grzegory, Izabella / Porowski, Sylwester et al. | 2010
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A Brief Review on the Na-Flux Method Toward Growth of Large-Size GaN CrystalEhrentraut, Dirk / Meissner, Elke et al. | 2010
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Low Pressure Solution Growth of Gallium NitrideMeissner, E. / Hussy, S. / Friedrich, J. et al. | 2010
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Optical Properties of GaN SubstratesChichibu, Shigefusa F. et al. | 2010
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Point Defects and Impurities in Bulk GaN Studied by Positron Annihilation SpectroscopyTuomisto, Filip et al. | 2010