A Venus-flytrap-based actuator (Englisch)
- Neue Suche nach: Volkov, Alexander G.
- Weitere Informationen zu Volkov, Alexander G.:
- https://orcid.org/http://orcid.org/0000-0002-6292-612X
- Neue Suche nach: Volkov, Alexander G.
- Weitere Informationen zu Volkov, Alexander G.:
- https://orcid.org/http://orcid.org/0000-0002-6292-612X
In:
Nature Electronics
;
4
, 2
;
97
;
2021
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
-
Titel:A Venus-flytrap-based actuator
-
Weitere Titelangaben:Nat Electron
-
Beteiligte:Volkov, Alexander G. ( Autor:in )
-
Erschienen in:Nature Electronics ; 4, 2 ; 97
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Nature Publishing Group UK
-
Erscheinungsort:London
-
Erscheinungsdatum:01.02.2021
-
Format / Umfang:1 pages
-
ISSN:
-
DOI:
-
Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
-
Format:Elektronische Ressource
-
Sprache:Englisch
-
Schlagwörter:
-
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 4, Ausgabe 2
Zeige alle Jahrgänge und Ausgaben
Die Inhaltsverzeichnisse werden automatisch erzeugt und basieren auf den im Index des TIB-Portals verfügbaren Einzelnachweisen der enthaltenen Beiträge. Die Anzeige der Inhaltsverzeichnisse kann daher unvollständig oder lückenhaft sein.
- 91
-
Gate insulators at the limit| 2021
- 92
-
Is privacy dead?Cheney-Lippold, John et al. | 2021
- 93
-
Thin-film LEDs choose a directionThomas, Stuart et al. | 2021
- 94
-
Electronic tattoos layer upParker, Matthew et al. | 2021
- 95
-
Robust flexible electrodes with 2D interlayersKo, Seung Hwan et al. | 2021
- 97
-
A Venus-flytrap-based actuatorVolkov, Alexander G. et al. | 2021
- 98
-
The performance limits of hexagonal boron nitride as an insulator for scaled CMOS devices based on two-dimensional materialsKnobloch, Theresia / Illarionov, Yury Yu. / Ducry, Fabian / Schleich, Christian / Wachter, Stefan / Watanabe, Kenji / Taniguchi, Takashi / Mueller, Thomas / Waltl, Michael / Lanza, Mario et al. | 2021
- 109
-
Transistors and logic circuits based on metal nanoparticles and ionic gradientsZhao, Xing / Yang, Liu / Guo, Jiahui / Xiao, Tao / Zhou, Yi / Zhang, Yuchun / Tu, Bin / Li, Tiehu / Grzybowski, Bartosz A. / Yan, Yong et al. | 2021
- 116
-
Hall effects in artificially corrugated bilayer graphene without breaking time-reversal symmetryHo, Sheng-Chin / Chang, Ching-Hao / Hsieh, Yu-Chiang / Lo, Shun-Tsung / Huang, Botsz / Vu, Thi-Hai-Yen / Ortix, Carmine / Chen, Tse-Ming et al. | 2021
- 126
-
Strain-resilient electrical functionality in thin-film metal electrodes using two-dimensional interlayersCho, Chullhee / Kang, Pilgyu / Taqieddin, Amir / Jing, Yuhang / Yong, Keong / Kim, Jin Myung / Haque, Md Farhadul / Aluru, Narayana R. / Nam, SungWoo et al. | 2021
- 134
-
An on-demand plant-based actuator created using conformable electrodesLi, Wenlong / Matsuhisa, Naoji / Liu, Zhiyuan / Wang, Ming / Luo, Yifei / Cai, Pingqiang / Chen, Geng / Zhang, Feilong / Li, Chengcheng / Liu, Zhihua et al. | 2021
- 143
-
Strain-insensitive intrinsically stretchable transistors and circuitsWang, Weichen / Wang, Sihong / Rastak, Reza / Ochiai, Yuto / Niu, Simiao / Jiang, Yuanwen / Arunachala, Prajwal Kammardi / Zheng, Yu / Xu, Jie / Matsuhisa, Naoji et al. | 2021
- 151
-
In situ learning using intrinsic memristor variability via Markov chain Monte Carlo samplingDalgaty, Thomas / Castellani, Niccolo / Turck, Clément / Harabi, Kamel-Eddine / Querlioz, Damien / Vianello, Elisa et al. | 2021
- 162
-
A hybrid III–V tunnel FET and MOSFET technology platform integrated on siliconConvertino, Clarissa / Zota, Cezar B. / Schmid, Heinz / Caimi, Daniele / Czornomaz, Lukas / Ionescu, Adrian M. / Moselund, Kirsten E. et al. | 2021