Analysis of morphologically stable horizontal ribbon crystal growth (Englisch)
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In:
Journal of Electronic Materials
;
12
, 1
;
161-179
;
1983
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:Analysis of morphologically stable horizontal ribbon crystal growth
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Beteiligte:Glicksman, M. E. ( Autor:in ) / Voorhees, P. W. ( Autor:in )
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Erschienen in:Journal of Electronic Materials ; 12, 1 ; 161-179
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Springer-Verlag
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Erscheinungsort:New York
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Erscheinungsdatum:01.01.1983
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Format / Umfang:19 pages
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 12, Ausgabe 1
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Solid state nucleation in the Ti-Si ultrathin film systemBené, R. W. / Yang, H. Y. et al. | 1983
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Some investigations on photovoltaic mechanism in silicon ribbonKato, T. / Morita, H. / Washida, H. / Onoe, A. et al. | 1983
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Radiation damage in N+-implanted ZnSeVermaak, J. S. / Petruzzello, J. et al. | 1983
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Phase equilibria in the Cu-Ga-S-Sn systemTsubaki, Kotaro / Sugiyama, Koichi et al. | 1983
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Topography induced preferential crystallization of thermally grown silicon dioxide filmsCheng, Julian / Lemons, Ross A. et al. | 1983
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Electrical and photoluminescence properties of Ge-doped n-type GaAs Grown by molecular beam epitaxyLi, Ai-zhen / Xin, Shang-heng / Milnes, A. G. et al. | 1983
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The nature of prismatic dislocation loops in undoped InPBrown, G. T. / Cockayne, B. / MacEwan, W. R. et al. | 1983
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The influence of dielectric layers on the CW-Laser Annealing of polysiliconPaulson, W. M. / Wilson, S. R. et al. | 1983
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Extremely reproducible zinc diffusion into InSb and its application to infrared detector arrayNishitani, K. / Nagahama, K. / Murotani, T. et al. | 1983
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Comparison of polysilicon films annealed with a CW or pulsed laserWilson, S. R. / Paulson, W. M. / White, C. W. et al. | 1983
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Analysis of morphologically stable horizontal ribbon crystal growthGlicksman, M. E. / Voorhees, P. W. et al. | 1983
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Mos and schottky diode gas sensors using transition metal electrodesPoteat, T. L. / Lalevic, B. / Kuliyev, B. / Yousuf, M. / Chen, M. et al. | 1983
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Investigations on low temperature mo-cvd growth of GaAsKräutle, H. / Roehle, H. / Escobosa, A. / Beneking, H. et al. | 1983
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Study of grown-in deep-level defects vs growth parameters in GaAs grown by VPE techniqueLi, Sheng S. / Wang, W. L. / Colter, P. C. / Litton, C. W. et al. | 1983